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對比 型號 廠商 描述 均價 ECAD 數據手冊 替代料
對比 TPH3206PSB Transphorm Inc
Power Field-Effect Transistor,
- ecad
對比 TPH3206PSB
采用 TO-220 封裝的 650V 150mΩ 氮化鎵GaN FET。通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統硅 (Si) 器件,具有顯著優勢。
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對比欄
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